机读格式显示(MARC)
- 000 01179nam0 2200265 450
- 010 __ |a 978-7-03-074714-3 |d CNY129.00
- 100 __ |a 20230406d2023 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 集成电路器件抗辐射加固设计技术 |A ji cheng dian lu qi jian kang fu she jia gu she ji ji shu |b 专著 |f 闫爱斌[等]著
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023
- 215 __ |a 214页 |c 图 |d 24cm
- 304 __ |a 著者还有:倪天明、黄正峰、崔杰
- 330 __ |a 本书从集成电路器件可靠性问题出发,具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识,介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件,针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术,描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。
- 333 __ |a 本书适用于高等院校集成电路科学与工程、电子信息工程、微电子科学与工程、计算机科学与技术等专业的本科生和研究生
- 606 0_ |a 集成电路 |A Ji Cheng Dian Lu |x 电子器件 |x 抗辐射性 |x 机械加固 |x 设计
- 701 _0 |a 闫爱斌 |A yan ai bin |4 著
- 801 _0 |a CN |b SXDTDX |c 20240902
- 905 __ |a SXDTDX |d TN4/48