机读格式显示(MARC)
- 000 02005nam0 2200277 450
- 010 __ |a 978-7-03-071274-5 |d CNY119.00
- 100 __ |a 20230414d2023 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评 |A ya jie xing IGBT qi jian feng zhuang ke kao xing jian mo yu ce ping |b 专著 |f 李辉[等]著
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023
- 215 __ |a 177页 |c 图,照片 |d 24cm
- 300 __ |a 大功率电力电子器件及装备可靠性研究系列 国家科学技术学术著作出版基金资助出版
- 304 __ |a 著者还有:姚然、向学位、赖伟、王晓、李金元
- 314 __ |a 李辉,博士,重庆大学教授、博士生导师,教育部新世纪优秀人才支持计划入选者,2020年-2021年爱思唯尔“中国高被引学者”,输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室副主任。中国电机工程学会电力电子器件专业委员会委员、中国电工技术学会人工智能与电气应用专业委员会委员、中国工业节能与清洁生产协会绿色电机系统专业委员会专家。长期从事大功率电力电子器件封装及可靠性、风力发电系统控制、新型电驱系统控制等方面研究。主持国家自然科学基金智能电网联合基金重点项目1项、面上项目2项,中丹、中英国际合作课题2项,参与国家重点研发计划项目2项,省部级科研项目8项。获重庆市科技进步奖二等奖1项(第一完成人)、中国电工技术学会技术发明奖二等奖1项,发表高质量论文72篇,出版专著1部,授权国家发明专利18件,软件著作权2项。
- 330 __ |a 本书介绍了压接型IGBT器件的发展趋势与封装可靠性研究现状,总结了压接型IGBT器件不同封装结构与失效模式,提出了压接型IGBT器件多物理场建模与性能仿真方法,建立了压接型IGBT器件封装疲劳失效物理场模型,提出了压接型IGBT器件封装可靠性计算方法,研制了压接型IGBT器件动静态、功率循环、短路冲击测试平台,构建了银烧结压接型IGBT器件封装老化失效与可靠性评估模型。
- 333 __ |a 本书适用于高校电力电子技术及相关专业本科生、研究生和教师
- 606 0_ |a 绝缘栅场效应晶体管 |A Jue Yuan Zha Chang Xiao Ying Jing Ti Guan |x 封装工艺 |x 可靠性试验
- 701 _0 |a 李辉 |A li hui |4 著
- 801 _0 |a CN |b SXDTDX |c 20240908
- 905 __ |a SXDTDX |d TN386.2/5