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- 000 01766nam0 2200325 450
- 010 __ |a 978-7-302-62318-2 |d CNY99.00
- 100 __ |a 20230913d2023 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 存储器工艺与器件技术 |f 霍宗亮 ... [等] 编著 |A cun chu qi gong yi yu qi jian ji shu
- 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2023
- 215 __ |a xi, 412页 |c 图 |d 26cm
- 225 2_ |a 中国科学院大学研究生教材系列 |A zhong guo ke xue yuan da xue yan jiu sheng jiao cai xi lie
- 304 __ |a 题名页题: 霍宗亮, 夏志良, 靳磊, 王颀, 洪培真编著
- 314 __ |a 霍宗亮, 研究员, 博士生导师, 具有二十余年存储技术研发经验, 在架构、集成、机理和可靠性等方面形成特色, 负责了我国三维存储器多个技术代研发工作。夏志良, 正高级工程师, 博士生导师, 具有十五年以上存储技术研发经验, 内容涉及架构、材料、工艺集成和器件技术等。靳磊, 研究员, 博士生导师, 具有十五年以上半导体器件及可靠性技术科研与产品研发经验。
- 330 __ |a 本书共12章, 包括半导体存储器分类、NANDFlash技术、3D NANDFlash制造工艺、3D NANDFlash器件单元特性、3D NANDFlash模型模拟技术、3D NANDFlash阵列及操作、3D NANDFlash可靠性特性与测试、NANDFlash电路设计和系统应用、DRAM技术以及新型存储器技术等。为帮助读者深入掌握有关内容, 每一章还选入了适量的习题。
- 333 __ |a 本书适合作为高等院校微电子学及集成电路相关学科的高年级本科生和研究生的教材或教学参考书, 也是广大从事半导体存储器产业的科研工作者和工程师等有用的参考书
- 410 _0 |a 中国科学院大学研究生教材系列 |1 2001
- 606 0_ |a 存贮器 |A cun zhu qi
- 701 _0 |a 霍宗亮 |4 编著 |A huo zong liang
- 701 _0 |a 夏志良 |4 编著 |A xia zhi liang
- 701 _0 |a 靳磊 |4 编著 |A jin lei
- 801 _0 |a CN |b SXDTDX |c 20240902
- 905 __ |a SXDTDX |d TP333/22