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题名/责任者:

高温SiC MEMS传感器的热电特性/(澳)丁东安(Toan Dinh)，(澳)阮南中(Nam-Trung Nguyen)，(澳)陶宗越(Dzung Viet Dao)著 王兴华[等]译

出版发行项:

北京:科学出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-03-072489-2/CNY88.00

载体形态项:

10,133页:图，彩照;24cm

并列正题名:

Thermoelectrical effect in SiC for high-temperature MEMS sensors

个人责任者:

丁东安 (澳) (Dinh, Toan) 著

个人责任者:

阮南中 (澳) (Nguyen, Nam-Trung) 著

个人责任者:

陶宗越 (澳) (Dao, Dzung Viet) 著

个人次要责任者:

王兴华 译

学科主题:

碳化硅热敏电阻器-研究

学科主题:

微机电系统-传感器-热电效应-研究

中图法分类号:

TM54

中图法分类号:

TH-39

一般附注:

Springer

题名责任附注:

译者还有：刘文宝、刘红卫、李兴冀

责任者附注:

(澳）丁东安等著；王兴华等译,军事科学院国防科技创新研究院

提要文摘附注:

本书介绍了碳化硅(SiC)传感器在高温下热电特性的研究进展。内容可分为三部分，共七章。第一部分从单层SiC和多层SiC的热阻效应、热电效应、热电子效应和热电容效应等物理效应方面来介绍SiC的热电特性；第二部分介绍了SiC的诸多重要特征以及SiC MEMS的制造流程，总结了SiC传感器、热流传感器和对流惯性传感器的最新进展；第三部分论述了SiC热电传感器的应用前景。

使用对象附注:

本书适用于高等院校微电子技术专业本科生及相关专业研究生

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