MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：6
- 题名/责任者:
- 集成电路器件抗辐射加固设计技术/闫爱斌[等]著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2023
- ISBN及定价:
- 978-7-03-074714-3/CNY129.00
- 载体形态项:
- 214页:图;24cm
- 个人责任者:
- 闫爱斌 著
- 学科主题:
- 集成电路-电子器件-抗辐射性-机械加固-设计
- 中图法分类号:
- TN4
- 题名责任附注:
- 著者还有：倪天明、黄正峰、崔杰
- 责任者附注:
- 安徽大学
- 提要文摘附注:
- 本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件，针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。
- 使用对象附注:
- 本书适用于高等院校集成电路科学与工程、电子信息工程、微电子科学与工程、计算机科学与技术等专业的本科生和研究生
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN4/48 | B0199633 |  库本
库366106 |
可借 | 库本 | |
| TN4/48 | B0199632 | 基本书库
|
可借 | 基本书库 |
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