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题名/责任者:

压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评/李辉[等]著

出版发行项:

北京:科学出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-03-071274-5/CNY119.00

载体形态项:

177页:图，照片;24cm

个人责任者:

李辉 著

学科主题:

绝缘栅场效应晶体管-封装工艺-可靠性试验

中图法分类号:

TN386.2

一般附注:

大功率电力电子器件及装备可靠性研究系列 国家科学技术学术著作出版基金资助出版

题名责任附注:

著者还有：姚然、向学位、赖伟、王晓、李金元

责任者附注:

李辉，博士，重庆大学教授、博士生导师，教育部新世纪优秀人才支持计划入选者，2020年-2021年爱思唯尔“中国高被引学者”，输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室副主任。中国电机工程学会电力电子器件专业委员会委员、中国电工技术学会人工智能与电气应用专业委员会委员、中国工业节能与清洁生产协会绿色电机系统专业委员会专家。长期从事大功率电力电子器件封装及可靠性、风力发电系统控制、新型电驱系统控制等方面研究。主持国家自然科学基金智能电网联合基金重点项目1项、面上项目2项，中丹、中英国际合作课题2项，参与国家重点研发计划项目2项，省部级科研项目8项。获重庆市科技进步奖二等奖1项（第一完成人）、中国电工技术学会技术发明奖二等奖1项，发表高质量论文72篇，出版专著1部，授权国家发明专利18件，软件著作权2项。

提要文摘附注:

本书介绍了压接型IGBT器件的发展趋势与封装可靠性研究现状，总结了压接型IGBT器件不同封装结构与失效模式，提出了压接型IGBT器件多物理场建模与性能仿真方法，建立了压接型IGBT器件封装疲劳失效物理场模型，提出了压接型IGBT器件封装可靠性计算方法，研制了压接型IGBT器件动静态、功率循环、短路冲击测试平台，构建了银烧结压接型IGBT器件封装老化失效与可靠性评估模型。

使用对象附注:

本书适用于高校电力电子技术及相关专业本科生、研究生和教师

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