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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:6

题名/责任者:
功率半导体器件:原理、特性和可靠性/(德) 约瑟夫·卢茨 ... [等] 著 卞抗译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2020
ISBN及定价:
978-7-111-64029-5/CNY150.00
载体形态项:
XVIII, 554页:图;24cm
统一题名:
Semiconductor power devices : physics, characteristics, reliability
其它题名:
原理、特性和可靠性
丛编项:
新型电力电子器件丛书
个人责任者:
卢茨 (Lutz, Josef)
个人责任者:
施兰格诺托 (Schlangenotto, Heinrich)
个人责任者:
朔伊尔曼 (Scheuermann, Uwe)
个人次要责任者:
卞抗
学科主题:
功率半导体器件
中图法分类号:
TN303
题名责任附注:
题名页题其余责任者: 海因里希·施兰格诺托, 乌维·朔伊尔曼, 里克·德·当克尔 ; 其余译者: 杨莺, 刘静, 蒋荣舟
版本附注:
据原书第2版译出
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新成果,如SiC,GaN器件,以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。
使用对象附注:
高等院校相关专业师生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员等
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索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN303/12(2) G155559   新平旺校区-图书借阅室     可借 新平旺校区-图书借阅室
TN303/12(2) G155560   新平旺校区-图书借阅室     可借 新平旺校区-图书借阅室
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