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题名/责任者:

电子器件的电离辐射效应:从存储器到图像传感器/(意) Marta Bagatin, Simone Gerardin 毕津顺 ... [等] 译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-121-44206-3/CNY119.00

载体形态项:

20, 299页:图;26cm

统一题名:

Ionizing radiation effects in electronics : from memories to imagers

其它题名:

从存储器到图像传感器

丛编项:

国防电子信息技术丛书.集成电路辐射效应与加固技术系列

个人责任者:

巴吉安 (Bagatin, Marta) 主编

个人责任者:

杰拉尔丁 (Gerardin, Simone) 主编

个人次要责任者:

毕津顺 译

个人次要责任者:

于庆奎 译

学科主题:

电子器件-电离辐射-研究

中图法分类号:

TN6

题名责任附注:

题名页题: 毕津顺, 于庆奎, 丁李利, 李博译

出版发行附注:

本书原版由Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司出版, 并经其授权翻译出版 本书中文简体翻译版授权由电子工业出版社独家出版

责任者附注:

责任者Bagatin规范汉译姓: 巴吉安; 责任者Gerardin规范汉译姓: 杰拉尔丁

责任者附注:

Marta Bagatin, 毕业于意大利帕多瓦大学, 2006年获得电子工程专业学士学位, 2010年获得信息科学与技术专业博士学位。Simone Gerardin, 毕业于意大利帕多瓦大学, 2003年获得电子工程专业学士学位, 2007年获得电子和电信工程专业博士学位。毕津顺, 博士生导师, 贵州师范大学教授, 中国科学院微电子研究所特聘研究员。于庆奎, 中国空间技术研究院研究员。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书完整地涵盖了先进半导体的电离辐射效应, 深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容: 商用数字集成电路的辐射效应, 包括微处理器、易失性存储器 (SRAM和DRAM) 和快闪存储器; 数字电路、现场可编程门阵列 (FPGA) 和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案; 纤维光学和成像器件 (包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD) 的辐射效应。

使用对象附注:

本书可给予刚进入本领域的研究人员指导, 供电路设计者、系统设计者和可靠性工程师学习, 也可以作为资深科学家和工程师的参考书。还可以作为该领域本科生、硕士生、博士生和教师学习或教授电子器件电离辐射效应基础知识的参考书

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