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题名/责任者:

碳化硅技术基本原理:生长、表征、器件和应用/(日) 木本恒暢, (美) 詹姆士 A. 库珀著 夏经华 ... [等] 译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-111-58680-7/CNY150.00

载体形态项:

XIII, 500页:图;24cm

统一题名:

Fundamentals of silicon carbide technology : growth, characterization, devices, and applications

其它题名:

生长、表征、器件和应用

丛编项:

新型电力电子器件丛书

个人责任者:

木本恒畅, 1963- 著

个人责任者:

库珀 (Cooper, James A.), 1946- 著

个人次要责任者:

夏经华 译

其他责任者:

木本恒暢 著

学科主题:

碳化硅陶瓷-研究

中图法分类号:

TQ174.75

版本附注:

据2014年英文版译出

出版发行附注:

中文简体字版由机械工业出版社出版

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。

使用对象附注:

从事碳化硅电力电子材料、功率器件及其应用方面专业技术人员

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