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题名/责任者:

存储器工艺与器件技术/霍宗亮 ... [等] 编著

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-302-62318-2/CNY99.00

载体形态项:

xi, 412页:图;26cm

丛编项:

中国科学院大学研究生教材系列

个人责任者:

霍宗亮 编著

个人责任者:

夏志良 编著

个人责任者:

靳磊 编著

学科主题:

存贮器

中图法分类号:

TP333

题名责任附注:

题名页题: 霍宗亮, 夏志良, 靳磊, 王颀, 洪培真编著

责任者附注:

霍宗亮, 研究员, 博士生导师, 具有二十余年存储技术研发经验, 在架构、集成、机理和可靠性等方面形成特色, 负责了我国三维存储器多个技术代研发工作。夏志良, 正高级工程师, 博士生导师, 具有十五年以上存储技术研发经验, 内容涉及架构、材料、工艺集成和器件技术等。靳磊, 研究员, 博士生导师, 具有十五年以上半导体器件及可靠性技术科研与产品研发经验。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书共12章, 包括半导体存储器分类、NANDFlash技术、3D NANDFlash制造工艺、3D NANDFlash器件单元特性、3D NANDFlash模型模拟技术、3D NANDFlash阵列及操作、3D NANDFlash可靠性特性与测试、NANDFlash电路设计和系统应用、DRAM技术以及新型存储器技术等。为帮助读者深入掌握有关内容, 每一章还选入了适量的习题。

使用对象附注:

本书适合作为高等院校微电子学及集成电路相关学科的高年级本科生和研究生的教材或教学参考书, 也是广大从事半导体存储器产业的科研工作者和工程师等有用的参考书

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